專業濺鍍代工
Provision the service of sputtering
✓ ISO 14644-1：Class 1000無塵室
✓ 符合ISO 9001:2015標準作業程序
✓ 提供專業功能性貴金屬濺鍍
濺鍍是PVD（physical vapor deposition）的一種，是將固態原料氣化，然後再固化沉積在基板上，薄膜的組成成份和原料相同。利用真空環境，通入Ar氣，自由電子將其游離為Ar+離子及電子，其中的Ar+離子經由電場加速撞擊帶負電位的靶材，讓表面的原子脫離而氣化及二次電子，循環游離下，形成電漿，原子則沉積在基材上形成薄膜。
若在靶材後面加裝磁鐵，所產生的磁場會限制二次電子沿著靶材表面磁力線作螺旋狀運動，如此可增加與Ar分子碰撞游離為Ar+，的機率，而提高濺鍍的效率，這就是磁控濺鍍（magnetron）。
以靶材的性質而言，直流電源（DC）濺鍍金屬靶材，絕緣物質可用射頻電源，反應濺鍍可用直流脈冲電源或AC電源。
本公司擁有水平直流磁控濺鍍機，適合平面基材濺鍍金屬或ITO及Graphite等薄膜，基材種類舉凡：金屬、塑膠膜、矽晶圓、陶瓷、玻璃、光阻...等，也可應用於電鑄的導電層、鈦網白金電極、鍍金或白金塑膠薄膜電極、生物晶片、R&D鍍膜...等。
靶材表總覽
金屬靶材，加工面積：700*400*30mm內
Au (4N) | Ag | Pt (3N5) |
Al (2N7、5N) | AlCu (99.5/0.5) | AlSiCu (98.5/1/0.5) |
C | Cr | Cu (4N5) |
CuNi (56/44) | ITO(銦90:錫10) | Mo (3N5) |
Ni (3N5) | NiV (93/7) | NiCr (80/20) |
NiCo (75/25) | Sn (3N5) | SUS |
Ta (4N) | Ti (2N5、4N、5N) | TiN (4N) |
W (3N5) | WTi (90/10) | TiW (80/20) |
加工面積：550*125*6mm內
金屬靶材
In (99.995%) | SUS304 | Zn (4N) |
Zr | Cu | W (3N5) |
Ti (99.7%) | Ag (4N) | CuNi (80/20wt%) |
非金屬靶材
AZO (Al 2%) | i-ZnO | ZnO (SnO2 1%) |
Nb2Ox (3N) | SI (99.999%) | TiOx |
GZO | NiO (99.99%) (550*125*3mm) |
加工面積：550*125*12.7mm內
金屬靶材
Al (3N) | Al (5N) | Cr |
NiCr | Mo | NiV |
SUS316 | SUS304 |
加工面積：60*185*3mm內
非金屬靶材
Li3PO4 (99.99%) | LiMn2O4 (99.99%) | LiCoO2 (99.99%) |
(99.99%) |
✓ 另備有８吋小型濺鍍機
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