乾膜製程 · Dry Film Process
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規格介紹:
乾膜製程 · Dry Film Process
規格介紹:乾膜製程 · Dry Film Process
提供 Dry Film 乾膜貼附、曝光與圖形製作服務，支援微細線路、小量試產與研發樣品，提供穩定且高精度的乾膜製程能力。
詳細介紹:
● Dry Film Process：
○ PR Thickness：15um
○ PR Thickness：15um
L / S = 10 / 10 um
L / S = 10 / 20 um
Dot CD = 20um Pitch = 1：1
Dot CD = 60um Pitch = 1：0.5
Dot CD = 103um Min L=15um
● Dry Film Process：
○ PR Thickness：400um
○ Line / Space ：80~95 um/ 115~125 um
◼ 以電鑄類產品為主
○ PR Thickness：400um
○ Line / Space ：80~95 um/ 115~125 um
◼ 以電鑄類產品為主
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黃光設備 · Lithography Equipment
Aligner 曝光機Exposure：● Mask size：□7” × 7” ~ □5” × 5”● Substrate size：Φ6” ~ Φ4” ● Exposure ○ area：200mm × 200mm. ○ ghi-line、 i-line● Exposure mode： ○ Hard contact ○ Soft contact ○ Proximity Spin Developing 顯影機● Substrate size：Φ6” ~ Φ4”● Dispense nozzle：2 sets. (Developer & DIW)● Chemical supply：N2 pressure system Manual Spin Coater 塗佈機● Substrate size： Φ8”～ Φ4”. ● Spin speed：Max 2500 rpm Laminator 壓膜機● Dry Film Wide：200mm ● Dry Film thickness ：15、50、80um● Roller temperature：20～130℃● Substrate Type ： ○ Metal Sheets (thickness ：30um ～200um) ○ Glass (thickness ：0.2mm～2.3mm) ○ Ceramics (thickness ：150um～) Spin Etch 蝕刻機－Double Sided-V● Substrate size： 150 x 120 mm● Effective area： 100 x 100 mm● Chemical：FeCl3S● ingle etch● Metal：Cu type ○ Thickness ：30～ 150um ○ Uniformity ± 3um Spin Etch 蝕刻機－Double Sided-H● Substrate size： 150 x 120 mm● Effective area： 100 x 100 mm● Chemical：FeCl3S● ingle etch● Metal：Cu type ○ Thickness ：30～ 150um ○ Uniformity ± 3um
液態光阻 · Liquid Photoresist
● LIQUID PHOTORESIST： ○ PR Thickness：9um 1.98um 1.82um L / S = 2/2 um ● LIQUID PHOTORESIST： ○ PR Thickness：2.3~3um ○ Line：10um ● LIQUID PHOTORESIST： ○ PR Thickness：15±0.5um ○ CD： 5um、20um、50um ● LIQUID PHOTORESIST： ○ PR Thickness：20um、20um 、30um ○ CD： 20um、70um、200um
